沈阳科晶1200℃五温区独立控制管式炉采用独立的温控装置，可离开炉体进行温控操作，通过调节各个温区的 温度，可以在加热区内形成四段温度梯度，或形成较长的恒温区域。本机具有控温精度高，保温效果好，温度范围大，温度均匀性高，温 区多，可通气氛抽真空及安全可靠、操作简单等特点。

沈阳科晶1200℃五温区开启式管式炉每个温区分别由独立的温控系统控制，通过调节各个温区的温度，可以在加热 区内形成四段温度梯度，或形成较长的恒温区域。本机用于高等院校、科研院所、工矿企业等实验或小批量生产，主要针对电子陶 瓷的预烧、烧结、緩膜、高温热解低温沉积（CVD）等工艺。

沈阳科晶1200℃三温区开启式管式炉每个温区分别由独立的温控系统控制，具有控温精度高，保温效果好，温度范围 大，温度均匀性高，温区多等特点。本机可通气氛抽真空，操作简单，安全可靠。

沈阳科晶1200℃开启式双温区管式炉高温度可达到1200P,并可通过调节两个独立的控温程序，使炉管内温度场形成 —梯度。本机可用CVD方法来生长纳米材料和制作各种蒲膜。

沈阳科晶1200℃开启式管式炉是一款单温区管式炉，炉管直径中5”,长1400mm ,高温度可达到1200°C。本机可在各 种气氛保护下对样品进行热处理、沉积、烧结。