沈阳科晶1600℃双温区高温真空管式炉每个加热区域长300mm,由30段智能温度调节仪进行控温，采用硅铝棒加热元件 温度可达1600P,采用硅碳棒加热元件温度可达1400tJ,通过调节两个温区的控温程序使炉管内温度场形成一温度梯度。本机可用于 CVD或PYD方法来生长纳米材料和制作各种蒲膜。

沈阳科晶1600℃真空高温管式炉加热元件采用1750P级硅铝棒，广泛用于真空或惰性气体保护状态下，新材料样品的烧 结或退火。

沈阳科晶1600℃真空高温管式炉加热元件采用1700P级硅铝棒，广泛用于真空或惰性气体保护状态下，新材料样品的烧结 或退火。

沈阳科晶1500℃三温区开启式管式炉是高温管式炉，高温度可达1500^3,三个温区分别用三个独立的温控系统控 制，每个温区都可以设置30段升降温程序，并设有过热和断偶保护功能，控温精度高达±1P。本机特别适合于在气氛保护或真空环境下 对样品进行退火和烧结。

沈阳科晶 1500℃单温区开启式管式炉高温度可达1500=C,可设置30段升降温程序，并设有过热和断偶保护功能，控温 精度高达=11,特别适合于在气氛保护或真空环境下对样品进行退火和烧结。