沈阳科晶 1700℃双温区高温真空管式炉每个温区长300mm,由30段智能温度调节仪进行控温，采用硅铝棒加热元件温度 可达1700tJ,采用硅碳棒加热元件温度可达1400tJ,通过调节两个温区的控温程序使炉管内温度场形成一温度梯度。本机可用于CVD或 PVD方法来生长纳米材料和制作各种蒲膜。

沈阳科晶 1700℃真空高温管式炉采用ISOOP级硅铝棒为加热元件，高温度可达到1700P,可广泛地用于真空或惰性 气体保护状态下材料的烧结和退火。

沈阳科晶 1700℃真空管式炉采用30段程控PID控温仪，高温度可达到1700P,可广泛地用于真空或惰性气体保护状态下 材料的烧结和退火。

沈阳科晶 1700℃高温真空气氛管式炉采用1700P级硅铝棒为加热元件，高温度可达到170013,可广泛地用于真空或惰性 气体保护状态下材料的烧结和退火。

沈阳科晶1600℃三温区高温真空管式炉主要用于高等院校、科研院所、工矿企业等实验或小批量生产，针对电子陶瓷的 预烧、烧结、緩膜、高温热解低温沉积（CVD）等工艺。